HSMS-281C-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-281C-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-281C-TR1G 规格参数

HSMS-281C-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置，封装于紧凑的SOT-323（SC-70）外壳中。该器件专为射频（RF）信号处理应用而优化，其核心架构基于高性能肖特基势垒技术，通过将两个二极管单元以串联形式集成在单一芯片上，有效提升了在射频电路中的匹配性和对称性，同时简化了PCB布局设计。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。其极低的结电容（典型值1.2pF @ 0V, 1MHz）是确保其在UHF及更高频段保持低损耗、高隔离度的关键，能够最大限度地减少对高速信号完整性的影响。同时，串联配置提供了更高的反向击穿电压（VRWM 20V），增强了电路的耐用性和可靠性。其正向导通特性也经过优化，在5mA电流下串联电阻典型值为15欧姆，有助于降低信号路径上的插入损耗。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的Broadcom代理商获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，HSMS-281C-TR1G提供了标准的三引脚SOT-323封装，便于自动化贴装并节省电路板空间。其电气参数明确指向高频应用：最大反向工作电压20V，最大正向平均整流电流1A，以及高达150°C的结温（TJ）工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了其在射频电路中的角色一个快速、低损耗的开关或检波元件。

基于上述特性，HSMS-281C-TR1G非常适合于要求高频率和低寄生参数的场景。典型应用包括微波混频器、射频信号检波、低功耗射频开关以及频率高达数GHz的采样保持电路。其小型化封装也使其成为便携式无线设备、卫星通信模块、测试测量仪器前端等空间受限设计的理想选择，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中仍具有重要价值。