HSMS-282N-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-282N-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-282N-TR2G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-282N-TR2G采用了先进的半导体工艺，其核心架构基于两对共阳极配置的肖特基结。这种独特的内部结构将两个独立的肖特基二极管对集成在一个微型封装内，为射频信号处理提供了对称且紧凑的解决方案。其肖特基势垒特性确保了极低的正向压降和超快的开关速度，这对于处理高频信号至关重要，能够有效减少信号在开关过程中的损耗和畸变。

该器件的性能特点突出体现在其优异的射频参数上。在0V偏压和1MHz测试频率下，其结电容典型值低至1pF，这一极低的寄生电容特性使其在高频电路中引入的容性负载极小，有助于维持电路的高频响应和带宽。同时，在5mA正向电流和1MHz条件下，其串联电阻仅为12欧姆，表现出良好的导通特性与低损耗。其峰值反向电压最大值为15V，最大正向电流为1A，结合高达150°C的结温工作能力，赋予了其在多种环境下的可靠性与稳定性。

在接口与物理封装方面，HSMS-282N-TR2G采用了业界通用的6引脚TSSOP（SC-88，SOT-363）超小型表面贴装封装。这种封装不仅极大地节省了PCB板空间，非常适合高密度电路板设计，其紧凑的引脚布局也优化了高频下的寄生电感效应，有利于保持信号完整性。用户可以通过博通中国代理获取详细的技术资料与封装图纸，以进行精确的电路布局与焊接。

基于上述技术特性，该芯片广泛应用于需要高效高频整流的各类射频前端电路。典型应用场景包括但不限于微波混频器、射频检波器、低功耗信号采样保持电路以及高频开关等。其快速响应和低损耗特性使其在通信设备、测试仪器、雷达模块等对频率和效率有苛刻要求的领域中，能够作为关键的无源器件，有效提升系统的整体性能。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一个具有参考价值的高性能射频二极管解决方案。