HSMS-282R-BLKG（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-282R-BLKG 零件图片（仅供参考）

HSMS-282R-BLKG 规格参数

作为Broadcom博通（AVAGO安华高科技）射频二极管系列中的一款经典产品，HSMS-282R-BLKG采用了肖特基势垒二极管技术，其核心架构为两对串联的肖特基结。这种串联设计不仅有助于提升器件的整体击穿电压，使其峰值反向电压达到15V，同时也优化了在高频下的性能表现。该器件采用紧凑的6-TSSOP（SC-88，SOT-363）封装，为空间受限的射频电路设计提供了高集成度的解决方案。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高频特性上。在零偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为1pF，这一极低的寄生电容是保证其在射频电路中实现低损耗、高隔离度的关键。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下测得的串联电阻为12欧姆，确保了信号路径上的导通损耗维持在较低水平。这些参数共同赋予了该器件在高频开关、混频、检波以及限幅等应用中的优异性能。

在接口与参数方面，HSMS-282R-BLKG定义了清晰的电气特性边界。其最大正向电流为1A，能够承受一定的瞬态电流冲击。最高结温（Tj）为150°C，提供了较宽的工作温度范围，增强了其在各种环境下的可靠性。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑供应链的替代方案，但现有库存及替代型号仍可通过可靠的渠道获取，例如专业的博通授权代理。

基于其技术规格，该芯片典型的应用场景覆盖了从消费电子到通信基础设施的多个领域。它非常适合用于微波频段的低功耗检波器、UHF频段的混频器前端，以及需要快速开关和低失真特性的射频信号控制电路。其小型化封装也使其成为手机、无线模块、卫星接收器等便携式或高密度设备中射频前端设计的理想选择之一，尽管处于产品生命周期的特定阶段，其设计理念和性能指标仍具有重要的参考价值。