HSMS-285Y-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-285Y-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-285Y-TR1G 规格参数

HSMS-285Y-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的肖特基势垒射频二极管，采用紧凑的SOD-523（SC-79）封装。该器件基于成熟的肖特基结半导体工艺，其核心架构旨在实现极低的结电容和快速开关特性，这对于维持高频信号的完整性至关重要。其单管芯设计简化了内部结构，减少了寄生参数，使其在射频信号路径中引入的损耗和相位失真降至最低。

该二极管的核心功能特点在于其卓越的高频性能。它在1V反向偏压、1MHz测试条件下的典型结电容仅为0.3pF，这一极低的电容值使其能够广泛应用于GHz级别的射频电路中，如混频器、检波器和低功耗开关。其峰值反向电压为2V，适用于低电压信号处理环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格和性能指标在特定应用领域仍具有参考价值，用户可通过博通中国代理等渠道咨询库存或替代方案信息。

在接口与参数方面，HSMS-285Y-TR1G采用标准的双引脚SOD-523表面贴装封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其工作结温高达150°C，确保了在较高环境温度下的可靠性。关键的射频参数，如极低的结电容，直接决定了其在电路中的可用频率上限和信号保真度。这些参数共同定义了一个适用于高频、小信号场景的半导体开关或非线性元件。

典型的应用场景主要集中在需要高频信号处理的领域。凭借其低电容和肖特基二极管固有的低开启电压特性，它非常适合用于微波检波、射频信号峰值检测、低损耗开关以及低本振驱动的混频器等电路中。在便携式无线设备、测试测量仪器及通信模块的射频前端，此类器件常被用于信号采样、功率监测或简单的逻辑控制功能，是实现电路功能微型化和高性能化的重要组件之一。