HSMS-286E-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286E-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286E-TR1G 规格参数

HSMS-286E-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阳极配置的肖特基势垒二极管，这种架构使其特别适合于需要信号平衡处理或频率转换的射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容和快速开关特性，在0V偏压下，典型结电容仅为0.25pF（测试条件1MHz），这确保了在高频信号路径中引入的损耗和相位失真最小化。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。作为一款肖特基二极管，它具备较低的开启电压和极快的反向恢复时间，这使得它在高频检波、混频以及低功耗开关应用中表现出色。其峰值反向电压为4V，定义了其安全工作区上限。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的工艺和稳定的性能使其在特定存量或延续性设计中仍被广泛参考和使用。对于有相关需求的工程师，通过可靠的Broadcom代理商获取原装正品或寻找替代方案是关键的供应链环节。

在接口与参数方面，HSMS-286E-TR1G采用三引脚SOT-323封装，其中两个阴极引脚分别独立，阳极引脚共用，为电路板布局提供了灵活性。其工作结温高达150°C，表明其具备良好的热可靠性，能够适应相对严苛的工作环境。低寄生参数是其关键特性，极低的结电容和串联电阻共同保障了其在UHF乃至更高频段下的信号保真度，这对于维持系统整体噪声系数和动态范围至关重要。

该器件的典型应用场景涵盖通信基础设施、测试测量设备以及消费电子领域。它常被用于微波检波器、平衡混频器、射频开关以及信号采样电路中。其小巧的封装尺寸尤其适合高密度集成的现代射频模组和手持设备。在需要精确解调小信号或进行高频逻辑控制的场合，HSMS-286E-TR1G凭借其优异的频率响应和稳定性，能够有效提升系统的灵敏度和响应速度。