HSMS-286F-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286F-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286F-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-286F-TR1G采用了先进的半导体工艺，其核心架构基于一对共阴极配置的肖特基结。这种结构设计使其在射频信号路径中能够实现高效的信号处理，特别适用于需要低损耗、高频率响应的电路环境。其内部结电容和串联电阻经过优化，确保了在GHz频段下仍能保持优异的性能一致性。

该器件最突出的功能特点在于其极低的结电容与快速开关特性。在零偏压（0V）、1MHz测试条件下，其典型电容值仅为0.25pF，这一特性对于维持高频电路的信号完整性至关重要，能有效减少对信号路径的加载效应和相位噪声的引入。同时，其峰值反向电压（VRWM）最大值为4V，提供了在低电压射频应用中的可靠保护。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在存量市场和特定设计中仍具参考价值，用户可通过可靠的博通芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

在接口与关键参数方面，HSMS-286F-TR1G采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温（TJ）高达150°C，展现了良好的热稳定性，能够适应较为严苛的工作环境。低电容与低反向电压的组合，使其接口特性特别匹配于小信号、高频率的处理需求。

在应用场景上，这款二极管典型应用于微波混频器、检波器、低功耗射频开关以及频率高达数GHz的采样保持电路中。其优异的射频特性使其成为通信设备、测试仪器、雷达模块以及各类便携式无线设备中高频前端电路的理想选择之一，尤其在对电路尺寸和高频损耗有严格要求的场合。